電力MOSFET柵源電壓不能大於10伏，否則將導致絕緣層擊穿。 - 播寶寶

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題目：電力MOSFET柵源電壓不能大於10伏，否則將導致絕緣層擊穿。

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電力MOSFET柵源電壓不能大於10伏，否則將導致絕緣層擊穿。

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正確答案：正確

關鍵字：智慧樹

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1.可關斷晶閘管（gto）是一種（）結構的半導體器件 2.晶閘管導通的條件是（） 3.單結晶體管內部有（）個PN結 4.功率晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現象稱為（） 5.下列電力電子器件中，屬於電壓驅動型的是（）

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